ON Semiconductor - NVTFS6H888NTAG

KEY Part #: K6397234

NVTFS6H888NTAG Preços (USD) [138141pcs Estoque]

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Número da peça:
NVTFS6H888NTAG
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
T8 80V U8FL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Módulos de driver de energia, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVTFS6H888NTAG Atributos do produto

Número da peça : NVTFS6H888NTAG
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : T8 80V U8FL
Series : Automotive, AEC-Q101
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 80V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.7A (Ta), 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 15µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 4.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 220pF @ 40V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.9W (Ta), 18W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerWDFN

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