Infineon Technologies - IRFP3710PBF

KEY Part #: K6403732

IRFP3710PBF Preços (USD) [30561pcs Estoque]

  • 1 pcs$1.22515
  • 10 pcs$1.04943
  • 100 pcs$0.84335
  • 500 pcs$0.65595
  • 1,000 pcs$0.54350

Número da peça:
IRFP3710PBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Tiristores - SCRs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFP3710PBF Atributos do produto

Número da peça : IRFP3710PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 57A TO-247AC
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 57A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 200W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AC
Pacote / caso : TO-247-3

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