STMicroelectronics - STW37N60DM2AG

KEY Part #: K6398979

STW37N60DM2AG Preços (USD) [15664pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.63098
  • 10 pcs$2.34893
  • 100 pcs$1.92595
  • 500 pcs$1.55954
  • 1,000 pcs$1.31528

Número da peça:
STW37N60DM2AG
Fabricante:
STMicroelectronics
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 28A.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - SCRs - Módulos ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STW37N60DM2AG Atributos do produto

Número da peça : STW37N60DM2AG
Fabricante : STMicroelectronics
Descrição : MOSFET N-CH 600V 28A
Series : Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 2400pF @ 100V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 210W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247
Pacote / caso : TO-247-3

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