FDMS6681Z Preços (USD) [100236pcs Estoque]
- 1 pcs$0.39009
- 3,000 pcs$0.37253
- Número da peça:
- FDMS6681Z
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes and Módulos de driver de energia ...
- Vantagem competitiva:
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FDMS6681Z Atributos do produto
Número da peça :
FDMS6681Z
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
21.1A (Ta), 49A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.2 mOhm @ 22.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
241nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
10380pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 73W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (5x6)
Pacote / caso :
8-PowerTDFN
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