[1496pcs Estoque]
- Número da peça:
- SUD50N03-11-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 50A TO252.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Tiristores - TRIACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SUD50N03-11-E3 electronic components. SUD50N03-11-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SUD50N03-11-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SUD50N03-11-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SUD50N03-11-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 50A TO252
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
800mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1130pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
7.5W (Ta), 62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-252, (D-Pak)
Pacote / caso :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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