Nexperia USA Inc. - BUK6C2R1-55C,118

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BUK6C2R1-55C,118 Preços (USD) [51526pcs Estoque]

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Número da peça:
BUK6C2R1-55C,118
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Unijunction Programável ...
Vantagem competitiva:
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ISO-14001
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ISO-45001-2018

BUK6C2R1-55C,118 Atributos do produto

Número da peça : BUK6C2R1-55C,118
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descrição : MOSFET N-CH 55V 228A D2PAK
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
Status da Peça : Last Time Buy
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 228A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.8V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 253nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±16V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 16000pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 300W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : D2PAK
Pacote / caso : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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