SSM6J213FE(TE85L,F Preços (USD) [944660pcs Estoque]
- 1 pcs$0.05194
- 4,000 pcs$0.05168
- Número da peça:
- SSM6J213FE(TE85L,F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Descrição detalhada:
- MOSFET P CH 20V 2.6A ES6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Unijunction Programável and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
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SSM6J213FE(TE85L,F Atributos do produto
Número da peça :
SSM6J213FE(TE85L,F
Fabricante :
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição :
MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Series :
U-MOSVI
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
4.7nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
290pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
500mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
ES6
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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