FQU13N06LTU-WS Preços (USD) [85018pcs Estoque]
- 1 pcs$0.45991
- Número da peça:
- FQU13N06LTU-WS
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - SCRs, Diodos - Zener - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQU13N06LTU-WS electronic components. FQU13N06LTU-WS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQU13N06LTU-WS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQU13N06LTU-WS Atributos do produto
Número da peça :
FQU13N06LTU-WS
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
350pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
I-PAK
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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