ON Semiconductor - FQU13N06LTU-WS

KEY Part #: K6417080

FQU13N06LTU-WS Preços (USD) [85018pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.45991

Número da peça:
FQU13N06LTU-WS
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 11A IPAK.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - TRIACs, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQU13N06LTU-WS Atributos do produto

Número da peça : FQU13N06LTU-WS
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET N-CH 60V 11A IPAK
Series : QFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 11A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 115 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 6.4nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : I-PAK
Pacote / caso : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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