IPP034N03LGXKSA1 Preços (USD) [50279pcs Estoque]
- 1 pcs$0.71077
- 10 pcs$0.63091
- 100 pcs$0.49850
- 500 pcs$0.38658
- 1,000 pcs$0.28870
- Número da peça:
- IPP034N03LGXKSA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
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IPP034N03LGXKSA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPP034N03LGXKSA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220-3
Series :
OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
80A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
51nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
5300pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
94W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TO220-3-1
Pacote / caso :
TO-220-3
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