[8426pcs Estoque]
- Número da peça:
- MMSF3P02HDR2
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor MMSF3P02HDR2 electronic components. MMSF3P02HDR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MMSF3P02HDR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
MMSF3P02HDR2 Atributos do produto
Número da peça :
MMSF3P02HDR2
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 5.6A 8-SOIC
Series :
-
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
5.6A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
46nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 16V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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