Infineon Technologies - BSS205NH6327XTSA1

KEY Part #: K6417382

BSS205NH6327XTSA1 Preços (USD) [907269pcs Estoque]

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Número da peça:
BSS205NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - RF, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSS205NH6327XTSA1 Atributos do produto

Número da peça : BSS205NH6327XTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 50 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.2V @ 11µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 3.2nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 419pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 500mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : SOT-23-3
Pacote / caso : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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