Infineon Technologies - IPP032N06N3GHKSA1

KEY Part #: K6402300

[2751pcs Estoque]


    Número da peça:
    IPP032N06N3GHKSA1
    Fabricante:
    Infineon Technologies
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - JFETs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IPP032N06N3GHKSA1 Atributos do produto

    Número da peça : IPP032N06N3GHKSA1
    Fabricante : Infineon Technologies
    Descrição : MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    Series : OptiMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 120A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 100A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 118µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 165nC @ 10V
    Vgs (máx.) : ±20V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 13000pF @ 30V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 188W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Tipo de montagem : Through Hole
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PG-TO220-3
    Pacote / caso : TO-220-3

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