[13044pcs Estoque]
- Número da peça:
- FQB13N10LTM
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - IGBTs - Single and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FQB13N10LTM electronic components. FQB13N10LTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQB13N10LTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FQB13N10LTM Atributos do produto
Número da peça :
FQB13N10LTM
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 12.8A D2PAK
Series :
QFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
12.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
520pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
3.75W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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