Infineon Technologies - IPC218N06N3X1SA2

KEY Part #: K6417618

IPC218N06N3X1SA2 Preços (USD) [36029pcs Estoque]

  • 1 pcs$2.02281

Número da peça:
IPC218N06N3X1SA2
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPC218N06N3X1SA2 Atributos do produto

Número da peça : IPC218N06N3X1SA2
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL
Series : OptiMOS™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 196µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : -
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : Sawn on foil
Pacote / caso : Die

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