Diodes Incorporated - DMN2020UFCL-7

KEY Part #: K6411810

DMN2020UFCL-7 Preços (USD) [537819pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.06877
  • 3,000 pcs$0.06195

Número da peça:
DMN2020UFCL-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - SCRs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - RF ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMN2020UFCL-7 Atributos do produto

Número da peça : DMN2020UFCL-7
Fabricante : Diodes Incorporated
Descrição : MOSFET N-CH 20V 9A 6DFN
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 21.5nC @ 4.5V
Vgs (máx.) : ±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1788pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 610mW (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : X1-DFN1616-6 (Type E)
Pacote / caso : 6-PowerUFDFN

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