DMN2005LP4K-7 Preços (USD) [779994pcs Estoque]
- 1 pcs$0.04742
- 3,000 pcs$0.04307
- Número da peça:
- DMN2005LP4K-7
- Fabricante:
- Diodes Incorporated
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN2005LP4K-7 electronic components. DMN2005LP4K-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN2005LP4K-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN2005LP4K-7 Atributos do produto
Número da peça :
DMN2005LP4K-7
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descrição :
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
200mA (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.5 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
41pF @ 3V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
400mW (Ta)
Temperatura de operação :
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
X2-DFN1006-3
Pacote / caso :
3-XFDFN
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