STP5N80K5 Preços (USD) [52836pcs Estoque]
- 1 pcs$0.70659
- 10 pcs$0.62715
- 100 pcs$0.49578
- 500 pcs$0.38448
- 1,000 pcs$0.28713
- Número da peça:
- STP5N80K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
- Descrição detalhada:
- N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP..
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Tiristores - TRIACs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Módulos de driver de energia, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol and Diodos - Zener - Single ...
- Vantagem competitiva:
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STP5N80K5 Atributos do produto
Número da peça :
STP5N80K5
Fabricante :
STMicroelectronics
Descrição :
N-CHANNEL 800 V 1.50 OHM TYP.
Series :
MDmesh™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.75 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
177pF @ 100V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
60W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220
Pacote / caso :
TO-220-3
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