RF4E110BNTR Preços (USD) [429410pcs Estoque]
- 1 pcs$0.09522
- 3,000 pcs$0.09475
- Número da peça:
- RF4E110BNTR
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Módulos de driver de energia, Transistores - IGBTs - Matrizes, Tiristores - SCRs - Módulos and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RF4E110BNTR electronic components. RF4E110BNTR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RF4E110BNTR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RF4E110BNTR Atributos do produto
Número da peça :
RF4E110BNTR
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-HUML
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
24nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1200pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
HUML2020L8
Pacote / caso :
8-PowerUDFN
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