TSM1NB60CH C5G Preços (USD) [116901pcs Estoque]
- 1 pcs$0.31640
- Número da peça:
- TSM1NB60CH C5G
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor Corporation
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH C5G electronic components. TSM1NB60CH C5G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM1NB60CH C5G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM1NB60CH C5G Atributos do produto
Número da peça :
TSM1NB60CH C5G
Fabricante :
Taiwan Semiconductor Corporation
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO251
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
138pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
39W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-251 (IPAK)
Pacote / caso :
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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