FDS6575 Preços (USD) [139010pcs Estoque]
- 1 pcs$0.28959
- 2,500 pcs$0.28815
- Número da peça:
- FDS6575
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Zener - Single, Tiristores - TRIACs and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FDS6575 electronic components. FDS6575 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS6575, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDS6575 Atributos do produto
Número da peça :
FDS6575
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO
Series :
PowerTrench®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
10A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
13 mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
74nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
4951pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2.5W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SOIC
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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