Vishay Siliconix - SQM110P06-8M9L_GE3

KEY Part #: K6418145

SQM110P06-8M9L_GE3 Preços (USD) [53134pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.73588

Número da peça:
SQM110P06-8M9L_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 60V 110A TO263.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - RF, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - IGBTs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM110P06-8M9L_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQM110P06-8M9L_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 110A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.9 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 7450pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 230W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-263 (D²Pak)
Pacote / caso : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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