RW1E014SNT2R Preços (USD) [1528127pcs Estoque]
- 1 pcs$0.02676
- 8,000 pcs$0.02663
- Número da peça:
- RW1E014SNT2R
- Fabricante:
- Rohm Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Diodos - Retificadores - Solteiro and Tiristores - SCRs - Módulos ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R electronic components. RW1E014SNT2R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RW1E014SNT2R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RW1E014SNT2R Atributos do produto
Número da peça :
RW1E014SNT2R
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Series :
-
Status da Peça :
Not For New Designs
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
1.4nC @ 5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
70pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
700mW (Ta)
Temperatura de operação :
150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
6-WEMT
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
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