NTTFS4939NTWG Preços (USD) [128234pcs Estoque]
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- 5,000 pcs$0.28844
- Número da peça:
- NTTFS4939NTWG
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Solteiro, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - JFETs, Diodos - Zener - Single, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Tiristores - SCRs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor NTTFS4939NTWG electronic components. NTTFS4939NTWG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTTFS4939NTWG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTTFS4939NTWG Atributos do produto
Número da peça :
NTTFS4939NTWG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8WDFN
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
8.9A (Ta), 52A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1979pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
850mW (Ta), 29.8W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-WDFN (3.3x3.3)
Pacote / caso :
8-PowerWDFN
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