[3464pcs Estoque]
- Número da peça:
- PHM12NQ20T,518
- Fabricante:
- NXP USA Inc.
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Tiristores - DIACs, SIDACs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in NXP USA Inc. PHM12NQ20T,518 electronic components. PHM12NQ20T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHM12NQ20T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PHM12NQ20T,518 Atributos do produto
Número da peça :
PHM12NQ20T,518
Fabricante :
NXP USA Inc.
Descrição :
MOSFET N-CH 200V 14.4A 8HVSON
Series :
TrenchMOS™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
14.4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1230pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
62.5W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-HVSON (6x5)
Pacote / caso :
8-VDFN Exposed Pad
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