[13644pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF5803D2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - retificadores de ponte, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - JFETs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Unijunction Programável ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5803D2PBF electronic components. IRF5803D2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5803D2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5803D2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRF5803D2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 40V 3.4A 8-SOIC
Series :
FETKY™
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
112 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
37nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1110pF @ 25V
Recurso FET :
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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