IXYS - IXFH26N60Q

KEY Part #: K6413813

IXFH26N60Q Preços (USD) [12970pcs Estoque]

  • 1 pcs$6.47829
  • 10 pcs$5.88907

Número da peça:
IXFH26N60Q
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Single, Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Diodos - Retificadores - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH26N60Q Atributos do produto

Número da peça : IXFH26N60Q
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AD
Series : HiPerFET™
Status da Peça : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 26A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 4mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 5100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 360W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-247AD (IXFH)
Pacote / caso : TO-247-3

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