[12990pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRF5806
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - SCRs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - TRIACs, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRF5806 electronic components. IRF5806 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF5806, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRF5806 Atributos do produto
Número da peça :
IRF5806
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET P-CH 20V 4A 6-TSOP
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
86 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11.4nC @ 4.5V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
594pF @ 15V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Micro6™(TSOP-6)
Pacote / caso :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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