IPN80R1K4P7ATMA1 Preços (USD) [206252pcs Estoque]
- 1 pcs$0.17933
- 3,000 pcs$0.17688
- Número da peça:
- IPN80R1K4P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Zener - Single, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
- Vantagem competitiva:
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IPN80R1K4P7ATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPN80R1K4P7ATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223
Series :
CoolMOS™ P7
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.4 Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
10nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
250pF @ 500V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-SOT223
Pacote / caso :
TO-261-3
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