IXYS - IXTT12N150HV

KEY Part #: K6397682

IXTT12N150HV Preços (USD) [2318pcs Estoque]

  • 1 pcs$20.55199
  • 10 pcs$19.22000
  • 100 pcs$16.66490

Número da peça:
IXTT12N150HV
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - IGBTs - Matrizes, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - IGBTs - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT12N150HV Atributos do produto

Número da peça : IXTT12N150HV
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 1.5KV 12A TO268
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 1500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 12A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 106nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3720pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 890W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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