Renesas Electronics America - UPA2813T1L-E1-AT

KEY Part #: K6402388

UPA2813T1L-E1-AT Preços (USD) [2722pcs Estoque]

  • 3,000 pcs$0.21062

Número da peça:
UPA2813T1L-E1-AT
Fabricante:
Renesas Electronics America
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - RF, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2813T1L-E1-AT Atributos do produto

Número da peça : UPA2813T1L-E1-AT
Fabricante : Renesas Electronics America
Descrição : MOSFET P-CH 30V 27A 8HVSON
Series : -
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 27A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 80nC @ 10V
Vgs (máx.) : -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 3130pF @ 10V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 1.5W (Ta), 52W (Tc)
Temperatura de operação : -
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-HVSON (3x3.3)
Pacote / caso : 8-PowerVDFN

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