IXYS - IXTT75N10L2

KEY Part #: K6398075

IXTT75N10L2 Preços (USD) [7658pcs Estoque]

  • 1 pcs$5.91860
  • 10 pcs$5.38095
  • 100 pcs$4.57380
  • 500 pcs$3.90119

Número da peça:
IXTT75N10L2
Fabricante:
IXYS
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 75A TO268.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Propósito Específico, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - IGBTs - Módulos and Módulos de driver de energia ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTT75N10L2 Atributos do produto

Número da peça : IXTT75N10L2
Fabricante : IXYS
Descrição : MOSFET N-CH 100V 75A TO268
Series : Linear L2™
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 75A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 21 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 215nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 8100pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 400W (Tc)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : TO-268
Pacote / caso : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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