FCP130N60 Preços (USD) [31593pcs Estoque]
- 1 pcs$1.31104
- 800 pcs$1.30452
- Número da peça:
- FCP130N60
- Fabricante:
- ON Semiconductor
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 600V 28A TO220.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - IGBTs - Matrizes, Módulos de driver de energia and Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in ON Semiconductor FCP130N60 electronic components. FCP130N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCP130N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCP130N60 Atributos do produto
Número da peça :
FCP130N60
Fabricante :
ON Semiconductor
Descrição :
MOSFET N-CH 600V 28A TO220
Series :
SuperFET® II
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
28A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
3.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
70nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
3590pF @ 380V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
278W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
TO-220-3
Pacote / caso :
TO-220-3
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