Infineon Technologies - IRF6655TRPBF

KEY Part #: K6416830

IRF6655TRPBF Preços (USD) [147665pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.25173
  • 4,800 pcs$0.25048

Número da peça:
IRF6655TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF6655TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRF6655TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Series : HEXFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 4.2A (Ta), 19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 62 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.8V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 11.7nC @ 10V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 530pF @ 25V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de operação : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : DIRECTFET™ SH
Pacote / caso : DirectFET™ Isometric SH

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