NXP USA Inc. - PMN28UN,165

KEY Part #: K6400197

[3480pcs Estoque]


    Número da peça:
    PMN28UN,165
    Fabricante:
    NXP USA Inc.
    Descrição detalhada:
    MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Zener - Matrizes, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Módulos and Diodos - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in NXP USA Inc. PMN28UN,165 electronic components. PMN28UN,165 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PMN28UN,165, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMN28UN,165 Atributos do produto

    Número da peça : PMN28UN,165
    Fabricante : NXP USA Inc.
    Descrição : MOSFET N-CH 12V 5.7A 6TSOP
    Series : TrenchMOS™
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N-Channel
    Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 12V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.7A (Tc)
    Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 34 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 10.1nC @ 4.5V
    Vgs (máx.) : ±8V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 740pF @ 10V
    Recurso FET : -
    Dissipação de energia (máx.) : 1.75W (Tc)
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP
    Pacote / caso : SC-74, SOT-457

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