ON Semiconductor - FDS4685

KEY Part #: K6418036

FDS4685 Preços (USD) [229055pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.16882
  • 2,500 pcs$0.16798

Número da peça:
FDS4685
Fabricante:
ON Semiconductor
Descrição detalhada:
MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays and Diodos - Zener - Single ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDS4685 Atributos do produto

Número da peça : FDS4685
Fabricante : ON Semiconductor
Descrição : MOSFET P-CH 40V 8.2A 8SOIC
Series : PowerTrench®
Status da Peça : Active
Tipo FET : P-Channel
Tecnologia : MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 8.2A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 27 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 27nC @ 5V
Vgs (máx.) : ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1872pF @ 20V
Recurso FET : -
Dissipação de energia (máx.) : 2.5W (Ta)
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOIC
Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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