SI8425DB-T1-E1 Preços (USD) [367832pcs Estoque]
- 1 pcs$0.10056
- 3,000 pcs$0.09462
- Número da peça:
- SI8425DB-T1-E1
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET P-CH 20V MICROFOOT.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - IGBTs - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Propósito Específico, Diodos - Zener - Single and Diodos - Retificadores - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI8425DB-T1-E1 electronic components. SI8425DB-T1-E1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI8425DB-T1-E1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI8425DB-T1-E1 Atributos do produto
Número da peça :
SI8425DB-T1-E1
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
110nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
2800pF @ 10V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
1.1W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
4-WLCSP (1.6x1.6)
Pacote / caso :
4-UFBGA, WLCSP
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