IRFL110TRPBF Preços (USD) [295523pcs Estoque]
- 1 pcs$0.12516
- 2,500 pcs$0.10598
- Número da peça:
- IRFL110TRPBF
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - JFETs, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - IGBTs - Matrizes and Diodos - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFL110TRPBF electronic components. IRFL110TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL110TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFL110TRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFL110TRPBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Series :
-
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnologia :
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
1.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
8.3nC @ 10V
Vgs (máx.) :
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
180pF @ 25V
Recurso FET :
-
Dissipação de energia (máx.) :
2W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SOT-223
Pacote / caso :
TO-261-4, TO-261AA
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