[3950pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI5920DC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - Propósito Específico, Tiristores - SCRs - Módulos and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5920DC-T1-GE3 electronic components. SI5920DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5920DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5920DC-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI5920DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
32 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
12nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
680pF @ 4V
Potência - Max :
3.12W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
1206-8 ChipFET™
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