Infineon Technologies - IRFH7911TRPBF

KEY Part #: K6525118

IRFH7911TRPBF Preços (USD) [74750pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.52309
  • 4,000 pcs$0.50217

Número da peça:
IRFH7911TRPBF
Fabricante:
Infineon Technologies
Descrição detalhada:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Transistores - IGBTs - Single, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - IGBTs - Matrizes and Tiristores - DIACs, SIDACs ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFH7911TRPBF Atributos do produto

Número da peça : IRFH7911TRPBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descrição : MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
Series : HEXFET®
Status da Peça : Not For New Designs
Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
Recurso FET : Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 13A, 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.6 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.35V @ 25µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 1060pF @ 15V
Potência - Max : 2.4W, 3.4W
Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : 18-PowerVQFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PQFN (5x6)

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