[3822pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI1035X-T1-E3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT563F.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Unijunction Programável, Diodos - retificadores de ponte, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - Bipolar (BJT) - RF and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI1035X-T1-E3 electronic components. SI1035X-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1035X-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI1035X-T1-E3 Atributos do produto
Número da peça :
SI1035X-T1-E3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 20V SOT563F
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5 Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
400mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
0.75nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
250mW
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
SOT-563, SOT-666
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
SC-89-6
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