[4073pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFH4257DTRPBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Single, Transistores - IGBTs - Single, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFH4257DTRPBF electronic components. IRFH4257DTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFH4257DTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFH4257DTRPBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFH4257DTRPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 25V 25A 24PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 35µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
15nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
1321pF @ 13V
Potência - Max :
25W, 28W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
Dual PQFN (5x4)
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