[4004pcs Estoque]
- Número da peça:
- IRFHM792TR2PBF
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Diodos - RF, Transistores - IGBTs - Módulos, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Zener - Single and Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IRFHM792TR2PBF electronic components. IRFHM792TR2PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFHM792TR2PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFHM792TR2PBF Atributos do produto
Número da peça :
IRFHM792TR2PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
Series :
HEXFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
195 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 10µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
6.3nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
251pF @ 25V
Potência - Max :
2.3W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
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