IPG16N10S4L61AATMA1 Preços (USD) [228629pcs Estoque]
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- Número da peça:
- IPG16N10S4L61AATMA1
- Fabricante:
- Infineon Technologies
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2N-CH 8TDSON.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Diodos - Retificadores - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Diodos - Zener - Matrizes and Transistores - JFETs ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Infineon Technologies IPG16N10S4L61AATMA1 electronic components. IPG16N10S4L61AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG16N10S4L61AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPG16N10S4L61AATMA1 Atributos do produto
Número da peça :
IPG16N10S4L61AATMA1
Fabricante :
Infineon Technologies
Descrição :
MOSFET 2N-CH 8TDSON
Series :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Status da Peça :
Active
Tipo FET :
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
61 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.1V @ 90µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
11nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
845pF @ 25V
Potência - Max :
29W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-PowerVDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
PG-TDSON-8-10
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