Vishay Siliconix - SQ3585EV-T1_GE3

KEY Part #: K6525080

SQ3585EV-T1_GE3 Preços (USD) [49543pcs Estoque]

  • 1 pcs$0.78921

Número da peça:
SQ3585EV-T1_GE3
Fabricante:
Vishay Siliconix
Descrição detalhada:
MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP.
Prazo de execução padrão do fabricante:
Em estoque
Validade:
Um ano
Chip De:
Hong Kong
RoHS:
Forma de pagamento:
Maneira da expedição:
Categorias de Família:
KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - JFETs, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Tiristores - SCRs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - TRIACs and Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor ...
Vantagem competitiva:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ3585EV-T1_GE3 Atributos do produto

Número da peça : SQ3585EV-T1_GE3
Fabricante : Vishay Siliconix
Descrição : MOSFET N/P-CH 20V 6TSOP
Series : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Status da Peça : Active
Tipo FET : N and P-Channel
Recurso FET : Standard
Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 3.57A (Tc), 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 1A, 4.5V, 166 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
Potência - Max : 1.67W
Temperatura de operação : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem : Surface Mount
Pacote / caso : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 6-TSOP

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