[4159pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI4965DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Propósito Específico, Tiristores - TRIACs, Transistores - JFETs, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Transistores - Bipolar (BJT) - RF ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4965DY-T1-GE3 electronic components. SI4965DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4965DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4965DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4965DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 8V 8SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
2W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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