Diodes Incorporated - ZXMN6A11DN8TC

KEY Part #: K6524557

[3792pcs Estoque]


    Número da peça:
    ZXMN6A11DN8TC
    Fabricante:
    Diodes Incorporated
    Descrição detalhada:
    MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Diodos - Zener - Matrizes, Diodos - Capacitância Variável (Varicaps, Varactor, Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Unijunction Programável, Tiristores - SCRs and Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A11DN8TC electronic components. ZXMN6A11DN8TC can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A11DN8TC, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZXMN6A11DN8TC Atributos do produto

    Número da peça : ZXMN6A11DN8TC
    Fabricante : Diodes Incorporated
    Descrição : MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SOIC
    Series : -
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 60V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 2.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA (Min)
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.7nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 330pF @ 40V
    Potência - Max : 1.8W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SOP