[3977pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI5915BDC-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF, Transistores - JFETs, Diodos - Retificadores - Matrizes, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Transistores - Bipolar (BJT) - RF, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar and Transistores - Propósito Específico ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI5915BDC-T1-GE3 electronic components. SI5915BDC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5915BDC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI5915BDC-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI5915BDC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
70 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
14nC @ 8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
420pF @ 4V
Potência - Max :
3.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
1206-8 ChipFET™
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