[3946pcs Estoque]
- Número da peça:
- SI4511DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
- Descrição detalhada:
- MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC.
- Prazo de execução padrão do fabricante:
- Em estoque
- Validade:
- Um ano
- Chip De:
- Hong Kong
- RoHS:
- Forma de pagamento:
-
- Maneira da expedição:
- Categorias de Família:
- KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro, Transistores - IGBTs - Módulos, Tiristores - DIACs, SIDACs, Transistores - Bipolares (BJT) - Solteiro, Pré-pol, Tiristores - TRIACs, Módulos de driver de energia, Transistores - FETs, MOSFETs - RF and Diodos - retificadores de ponte ...
- Vantagem competitiva:
- We specialize in Vishay Siliconix SI4511DY-T1-GE3 electronic components. SI4511DY-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4511DY-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI4511DY-T1-GE3 Atributos do produto
Número da peça :
SI4511DY-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descrição :
MOSFET N/P-CH 20V 7.2A 8-SOIC
Series :
TrenchFET®
Status da Peça :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Recurso FET :
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss) :
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C :
7.2A, 4.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
14.5 mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.8V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Potência - Max :
1.1W
Temperatura de operação :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem :
Surface Mount
Pacote / caso :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor :
8-SO
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