Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3

KEY Part #: K6523545

[4671pcs Estoque]


    Número da peça:
    SI7501DN-T1-E3
    Fabricante:
    Vishay Siliconix
    Descrição detalhada:
    MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays, Tiristores - TRIACs, Tiristores - SCRs, Transistores - IGBTs - Módulos, Transistores - FETs, MOSFETs - Single, Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - retificadores de ponte and Transistores - FETs, MOSFETs - RF ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3 electronic components. SI7501DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7501DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI7501DN-T1-E3 Atributos do produto

    Número da peça : SI7501DN-T1-E3
    Fabricante : Vishay Siliconix
    Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
    Series : TrenchFET®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N and P-Channel, Common Drain
    Recurso FET : Logic Level Gate
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 5.4A, 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 7.7A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 14nC @ 10V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Potência - Max : 1.6W
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : PowerPAK® 1212-8 Dual
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : PowerPAK® 1212-8 Dual

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