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ON Semiconductor - FDS8958B_G

KEY Part #: K6523526

[4136pcs Estoque]

    Número da peça:
    FDS8958B_G
    Fabricante:
    ON Semiconductor
    Descrição detalhada:
    MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO.
    Prazo de execução padrão do fabricante:
    Em estoque
    Validade:
    Um ano
    Chip De:
    Hong Kong
    RoHS:
    Forma de pagamento:
    Maneira da expedição:
    Categorias de Família:
    KEY Components Co., LTD é um distribuidor de componentes eletrônicos que oferece categorias de produtos, incluindo: Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes, Diodos - Retificadores - Solteiro, Tiristores - SCRs - Módulos, Diodos - retificadores de ponte, Transistores - Bipolares (BJT) - Arrays, Pré-polar, Transistores - Propósito Específico, Transistores - JFETs and Transistores - IGBTs - Matrizes ...
    Vantagem competitiva:
    We specialize in ON Semiconductor FDS8958B_G electronic components. FDS8958B_G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDS8958B_G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDS8958B_G Atributos do produto

    Número da peça : FDS8958B_G
    Fabricante : ON Semiconductor
    Descrição : MOSFET N/P-CH 30V 6.4A/4.5A 8SO
    Series : PowerTrench®
    Status da Peça : Obsolete
    Tipo FET : N and P-Channel
    Recurso FET : Standard
    Drene para a tensão da fonte (Vdss) : 30V
    Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C : 6.4A, 4.5A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 26 mOhm @ 6.4A, 10V, 51 mOhm @ 4.5A, 10V
    Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs : 5.8nC @ 4.5V, 9.6nC @ 4.5V
    Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 15V, 760pF @ 15V
    Potência - Max : 900mW
    Temperatura de operação : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Tipo de montagem : Surface Mount
    Pacote / caso : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Pacote de Dispositivo do Fornecedor : 8-SO

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